西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司宋秀峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司申请的专利一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510284959.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD是由宋秀峰;于恒懿;赵胜雷;孙雪晶;王中旭;张嘎;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于再生长P‑GaN的高耐压低漏电GaNSBD，属于半导体技术领域，包括衬底，设置于所述衬底上方的成核层；设置于成核层上方的缓冲层；设置于缓冲层上方的重掺杂层，设置于重掺杂层上方的阴极；设置于重掺杂上方设置有漂移层，所述漂移层位于阴极之间；所述漂移层的顶端设置有阳极，所述阳极的外圈设置有金属场限环；所述阳极、金属场限环、漂移层之间设置有P‑GaN区，所述P‑GaN区包括阳极下凹槽、内部P‑GaN区、侧壁P‑GaN区。本发明采用上述的一种基于再生长P‑GaN的高耐压低漏电GaNSBD，有效缓解侧壁漏电和阳极边缘峰值电场，使电场平坦化，提高器件可靠性。
本发明授权一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD在权利要求书中公布了：1.一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaNSBD，其特征在于，包括第一区域，所述第一区域上设置有漂移层； 所述漂移层的顶端设置有阳极，所述阳极的外圈设置有金属场限环； 所述阳极、金属场限环、漂移层之间设置有P-GaN区，所述P-GaN区包括阳极下凹槽、内部P-GaN区、侧壁P-GaN区； 所述阳极下凹槽设置于漂移层上，所述内部P-GaN区位于漂移层内部，所述漂移层的外侧设置有侧壁P-GaN区，所述侧壁P-GaN区的一端位于阳极下凹槽、金属场限环之间，且侧壁P-GaN区的一端还与阳极连接，所述侧壁P-GaN区的另一端与重掺杂层连接。
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