长鑫科技集团股份有限公司邓放心获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及感测放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311688162.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及感测放大器是由邓放心;梅晓波设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及感测放大器在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构易断开的技术问题。该半导体结构包括有源结构、第一栅极结构和第二栅极结构。有源结构包括沿第一方向相接的第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此远离的一端分别设置有第一凹部和第二凹部，且第一凹部与第二凹部沿第一方向具有间距，以增加第一凹部和第二凹部之间的有源结构沿第一方向的厚度，有源结构不易断开。第一栅极结构设置于第一有源区上、横跨第一凹部且与第一凹部的端部相间隔，第二栅极结构设置于第二有源区上、横跨第二凹部且与第二凹部的端部相间隔，避免额外增加第一栅极结构和第二栅极结构相对的沟道长度，保证半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及感测放大器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 有源结构，所述有源结构包括沿第一方向相接的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区远离所述第二有源区的一端设置有第一凹部，所述第二有源区远离所述第一有源区的一端设置有第二凹部，所述第一凹部与所述第二凹部沿所述第一方向具有间距； 沿所述第一方向间隔设置的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均沿第二方向延伸，所述第一栅极结构设置于所述第一有源区上、横跨所述第一凹部且与所述第一凹部的端部相间隔，所述第二栅极结构设置于所述第二有源区上、横跨所述第二凹部且与所述第二凹部的端部相间隔，所述第二方向与所述第一方向相交； 所述第一有源区的所述第一凹部与所述第二有源区的所述第二凹部沿所述第二方向错位设置。
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