长鑫科技集团股份有限公司肖德元获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311694030.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由肖德元;薛兴坤;邱云松;冯道欢设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底和第一介质层，衬底包括第一部分、位于第一部分上且沿第一方向间隔排布的多个第二部分、以及位于第二部分远离第一部分的一侧且沿第二方向间隔排布的多个第三部分，第一介质层至少位于相邻的第二部分之间；去除至少部分第一部分和部分厚度的第二部分，以露出第二部分的剩余区域，并在相邻第一介质层之间形成凹槽；对凹槽露出的第二部分进行金属化处理，以形成沿第二方向延伸的位线；在至少部分凹槽中形成至少一个位线接触块，一条位线与至少一个位线接触块接触连接。本公开实施例至少有利于提高位线和位线接触块之间的对准精度。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于， 包括： 提供衬底以及第一介质层，所述衬底包括第一部分、位于所述第一部分上且沿第一方向间隔排布的多个第二部分、以及位于所述第二部分远离所述第一部分的一侧且沿第二方向间隔排布的多个第三部分，所述第一介质层至少位于相邻的所述第二部分之间，所述第二部分用于形成位线，所述第三部分用于形成半导体柱，所述第一方向和所述第二方向相交； 去除至少部分所述第一部分和部分厚度的所述第二部分以形成凹槽，所述凹槽露出所述第二部分的剩余区域，并在相邻所述第一介质层之间； 对所述凹槽露出的所述第二部分进行金属化处理，以形成沿所述第二方向延伸的所述位线； 在至少部分所述凹槽中形成至少一个位线接触块，一条所述位线与至少一个所述位线接触块接触连接。
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