长鑫科技集团股份有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510552143.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由于业笑;刘忠明;白世杰;方嘉设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括相互间隔排布的第一有源结构、第二有源结构以及位于相邻第一有源结构和第二有源结构之间的隔离结构；刻蚀衬底，以形成多个间隔的凹槽，凹槽暴露第二有源结构的顶面；形成第一隔离层，第一隔离层覆盖凹槽的表面；形成第一半导体层，第一半导体层覆盖第一隔离层的表面；刻蚀第一半导体层，以暴露覆盖在第二有源结构顶面的第一隔离层；刻蚀第一隔离层，以暴露第二有源结构的顶面；形成位线接触结构，位线接触结构至少与第二有源结构的顶面接触连接。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的第一有源结构、第二有源结构以及位于相邻所述第一有源结构和所述第二有源结构之间的隔离结构； 刻蚀所述衬底，以形成多个间隔的凹槽，所述凹槽暴露所述第二有源结构的顶面； 形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述凹槽的表面； 形成第一半导体层，所述第一半导体层覆盖所述第一隔离层的表面； 刻蚀所述第一半导体层，以暴露覆盖在所述第二有源结构顶面的第一隔离层； 刻蚀所述第一隔离层，以暴露所述第二有源结构的顶面； 形成位线接触结构，所述位线接触结构至少与所述第二有源结构的顶面接触连接； 刻蚀所述衬底前还包括：形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述衬底的顶面，形成的所述第一隔离层还覆盖所述第二隔离层的表面，刻蚀所述第一半导体层及所述第一隔离层的过程中还刻蚀位于第二隔离层顶面的所述第一半导体层及所述第一隔离层。
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