大连理工大学张国权获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510463170.1，技术领域涉及：C25B11/077；该发明授权一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法及应用是由张国权;朱乐冰设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于环境功能材料技术领域，公开了一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法及应用。以泡沫铜制备基底，电化学沉积得到钴掺杂的氢氧化铜纳米棒的复合材料；在一定的温度和氮气气氛中退火处理，即得到Co‑Cu2OCF电极。本发明的三维自支撑的Co‑Cu2OCF阴极电极的制备方法通过铜和钴双位点之间的协同效应，优化硝酸盐的吸附和促进水的分解，从而提升硝酸盐向氨的选择性转化。本发明提供了钴掺杂氧化亚铜自支撑阴极电极在电催化硝酸盐还原合成氨方面的应用，具有优异的法拉第效率和氨选择率，及良好的稳定性。同时该催化剂制备方法简单易行，实现了较高电催化性能，具有一定的潜在应用前景。
本发明授权一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种自支撑钴掺杂氧化亚铜双位点阴极电极的制备方法，其特征是，包括以下步骤： S1.制备基底，对泡沫铜进行预处理，将泡沫铜依次用丙酮、稀盐酸、乙醇和去离子水超声处理，洗涤后真空密封保存作为电极基底备用； S2.制备CuOH2NRsCF，将步骤S1制备得到的电极基底垂直浸入含有碱性溶液和过硫酸盐的溶液中，得到的天蓝色的CF，将其从溶液中取出，用去离子水彻底洗涤，真空干燥，得到CuOH2NRsCF； S3.制备Co-CuOH2NRsCF，将步骤S2制备得到的CuOH2NRsCF置于含硝酸钴溶液中，在预定温度下，采用三电极体系，使用恒电位法进行电沉积，取出洗涤，干燥保存，得到Co-CuOH2NRsCF； S4.制备Co-Cu2OCF，将步骤S2制备得到的Co-CuOH2NRsCF置于管式炉中，在惰性气体保护下中升温至300~600℃，维持0.5~4h，随后冷却至室温，得到Co-Cu2OCF。
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