长鑫科技集团股份有限公司刘志拯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311708789.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘志拯设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一掺杂结构，具有沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分和第三部分；间隔设置的第二掺杂结构和第三掺杂结构，第二掺杂结构与第一部分接触连接，第三掺杂结构与第三部分接触连接；其中，第一掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的一者，第二掺杂结构和第三掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的另一者，且沿第二方向相邻的两个第一掺杂结构与同一第三掺杂结构接触连接；栅极结构，具有沿第二方向上相对的第一面和第二面，至少第一面与第二部分接触连接，第二方向和第一方向相交。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一掺杂结构，具有沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分和第三部分； 间隔设置的第二掺杂结构和第三掺杂结构，所述第二掺杂结构与所述第一部分接触连接，所述第三掺杂结构与所述第三部分接触连接； 其中，所述第一掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的一者，所述第二掺杂结构和所述第三掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的另一者，且沿第二方向相邻的两个所述第一掺杂结构与同一所述第三掺杂结构接触连接，所述第二方向和所述第一方向相交； 栅极结构，具有沿所述第二方向上相对的第一面和第二面，至少所述第一面或所述第二面与所述第二部分接触连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励