西安电子科技大学宋春雨获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种沟槽终端连接接地埋层的SiC JBS二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510367701.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种沟槽终端连接接地埋层的SiC JBS二极管及其制备方法是由宋春雨;刘科宇;张质文;岳跃硕;宋庆文;袁昊;汤晓燕;张玉明设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽终端连接接地埋层的SiC JBS二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽终端连接接地埋层的SiCJBS二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、衬底、缓冲层、第一外延层、第二外延层、以及位于第二外延层和终端过渡环表面的阳极，第一外延层内部靠近第二外延层的一侧包括：位于预设区域内的接地埋层，以及位于预设区域之外的终端过渡环，在垂直于衬底所在平面的方向上，第二外延层的正投影与终端过渡环的正投影不交叠；第二外延层内部远离第一外延层的一侧包括主结。由于接地埋层加速了过剩载流子的泄放，有效调制了器件内部的峰值电场分布，使得外延衬底同质结处的电场降低，进而使得该处的碰撞电离下降，从而有效降低单粒子瞬态电流和瞬态温度，有利于提高器件漏电退化的阈值。
本发明授权一种沟槽终端连接接地埋层的SiC JBS二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽终端连接接地埋层的SiCJBS二极管，其特征在于，包括： 衬底； 依次位于所述衬底表面的缓冲层、第一外延层和第二外延层，所述第一外延层内部靠近所述第二外延层的一侧包括：位于预设区域内的接地埋层，以及位于所述预设区域之外的终端过渡环，在垂直于衬底所在平面的方向上，所述第二外延层的正投影与所述终端过渡环的正投影不交叠； 位于所述第二外延层内部远离所述第一外延层一侧的主结； 位于所述衬底远离所述缓冲层一侧表面的阴极，以及位于所述第二外延层和所述终端过渡环表面的阳极。
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