苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311674990.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层、第一钝化层和第二钝化层，贯穿第一钝化层和第二钝化层设置通孔，位于第一钝化层的通孔的横截面积大于位于第二钝化层的通孔的横截面积，半导体层填充通孔，其中，半导体层包括P型活化区和第一高阻区，P型活化区贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，P型活化区用于耗尽下方沟道的2DEG，实现增强型器件；第一高阻区位于P型活化区与第一钝化层之间、且被第二钝化层在衬底的投影覆盖，第一高阻区位于P型活化区与势垒层形成的夹角处，用于降低P型活化区附近的漏电流，改善器件的可靠性。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层、第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层包括SiN层，所述SiN层的氢含量为5%~20%； 通孔，所述通孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，位于所述第一钝化层的所述通孔的横截面积大于位于所述第二钝化层的所述通孔的横截面积； 半导体层，所述半导体层位于所述通孔中；以及 第二高阻区，所述第二高阻区与所述SiN层接触； 其中，所述半导体层包括P型活化区和第一高阻区，所述P型活化区贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，所述第一高阻区位于所述P型活化区与所述第一钝化层之间，所述第二钝化层在所述衬底的投影覆盖所述第一高阻区在所述衬底的投影。
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