厦门赛尔特电子股份有限公司赖建华获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门赛尔特电子股份有限公司申请的专利一种低压压敏电阻及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120164685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510328965.1,技术领域涉及:H01C7/10;该发明授权一种低压压敏电阻及其制备方法是由赖建华;陈惠贞;陈飞龙设计研发完成,并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低压压敏电阻及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及压敏电阻技术领域,特别涉及一种低压压敏电阻及其制备方法。该低压压敏电阻的组分包括Bi2O3、Sb2O3、MnCO3、Co2O3、NiO、TiO2、Gd2O3、硝酸铝、AgNO3、H3BO3、ZnO、分散剂以及粘结剂;Bi2O3、Sb2O3、MnCO3、Co2O3、NiO、TiO2、Gd2O3、硝酸铝、AgNO3、H3BO3与分散剂的重量比为50~60:1.2~1.4:20~25:25~30:11~18:3~5:0.1~0.4:0.4~0.5:0.2~0.5:0.2~0.6:50~60;ZnO与Bi2O3的重量比为3000:50~60;粘结剂与ZnO的重量比为15:100。本申请方案可有效提升低压压敏电阻的通流量和老化寿命,产品具有良好压敏综合性能。
本发明授权一种低压压敏电阻及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低压压敏电阻,其特征在于:其组分包括Bi2O3、Sb2O3、MnCO3、Co2O3、NiO、TiO2、Gd2O3、硝酸铝、AgNO3、H3BO3、ZnO、分散剂以及粘结剂; 所述Bi2O3、Sb2O3、MnCO3、Co2O3、NiO、TiO2、Gd2O3、硝酸铝、AgNO3、H3BO3与分散剂的重量比为50~60:1.2~1.4:20~25:25~30:11~18:3~5:0.1~0.4:0.4~0.5:0.2~0.5:0.2~0.6:50~60; 所述ZnO与所述Bi2O3的重量比为3000:50~60;所述粘结剂与所述ZnO的重量比为15:100。
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