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龙图腾网获悉深圳市鸿芯微组科技有限公司申请的专利一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120196150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510661584.5，技术领域涉及：G05D23/20；该发明授权一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法是由陈兴;周婷;陈丹凤设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片加工技术领域，公开了一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法。所述方法包括：对SiC基底温度分布特性进行建模，得到三维温度场分布模型；执行温度参数分析，得到SiC基底表面温度分布参数集；进行热区分析，得到加热单元贡献度系数矩阵和目标热区分布图；计算功率分配值，得到加热功率设定矩阵；对加热功率设定矩阵执行四阶段分级控制，得到平稳过渡控制曲线；实施递进式温控策略，得到满足SiC基底芯片加工精度要求的全局温度控制参数，本发明实现了从室温到工艺温度的平稳过渡，无需额外预热设备，为SiC基底提供稳定的加工温度环境，降低了能源消耗，实现SiC基底芯片加工过程的能源高效利用。

本发明授权一种基于SiC基底的智能温控加热平台及芯片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC基底的智能温控加热的芯片加工方法，其特征在于，包括： 对SiC基底温度分布特性进行建模，得到三维温度场分布模型； 基于所述三维温度场分布模型执行温度参数分析，得到SiC基底表面温度分布参数集； 对所述SiC基底表面温度分布参数集进行热区分析，得到加热单元贡献度系数矩阵和目标热区分布图；具体包括：基于所述SiC基底表面温度分布参数集计算温度均匀性指标和扰动范围；根据所述温度均匀性指标和所述扰动范围，创建加热单元贡献度系数矩阵；根据所述加热单元贡献度系数矩阵进行热区贡献度热力图分析，得到目标热区分布图； 基于所述加热单元贡献度系数矩阵和所述目标热区分布图计算功率分配值，得到加热功率设定矩阵；具体包括：基于温度控制目标值和所述加热单元贡献度系数矩阵计算每个控制周期内需要调节的加热单元集合；根据每个控制周期内需要调节的加热单元集合，对所述目标热区分布图中的温度偏差执行功率调整量计算，得到加热功率设定矩阵； 对所述加热功率设定矩阵执行四阶段分级控制，得到平稳过渡控制曲线；具体包括：对所述加热功率设定矩阵中的所有加热单元功率同时设置最大功率和升温速率，得到快速预热阶段的控制参数；基于加热单元贡献度系数矩阵调整所述加热功率设定矩阵中的功率分配，得到均温稳定阶段的控制参数；将工艺温度区间T1至T2均分为M个温度敏感子区间和G个非温度敏感子区间，并设置温度敏感子区间的第一升温速率以及非温度敏感子区间的第二升温速率，得到精确升温阶段的控制参数；根据温度偏差范围动态调整比例系数和微分系数，得到工艺恒温阶段的控制参数；将所述快速预热阶段的控制参数、所述均温稳定阶段的控制参数、所述精确升温阶段的控制参数以及所述工艺恒温阶段的控制参数执行数据平滑处理和时序曲线构建，得到平稳过渡控制曲线； 根据所述平稳过渡控制曲线实施递进式温控策略，得到满足SiC基底芯片加工精度要求的全局温度控制参数；具体包括：根据热敏感度和加工工艺要求将SiC基底的表面划分为核心工艺区、过渡区和边缘区，并为所述核心工艺区、所述过渡区和所述边缘区分配优先级权重，得到多层级温控结构；根据所述多层级温控结构执行时空演化控制和动态分配控制资源分配，得到资源动态调度矩阵；基于所述资源动态调度矩阵和温度-功率闭环响应时间自调整算法，对所述多层级温控结构中的不同区域进行差异化控制频率处理，得到多尺度温场协同控制网络；针对所述多尺度温场协同控制网络引入温度稳态预测补偿机制，并计算温度偏差、温度趋势和热惯性的加权组合，得到双向调控系统；利用所述双向调控系统将控制质量评估指标与梯度下降算法相结合，执行参数自适应优化，得到满足SiC基底芯片加工精度要求的全局温度控制参数。

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