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龙图腾网获悉四川江化微电子材料有限公司申请的专利一种TFT-LCD湿法工艺高速铜蚀刻液及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120443186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510584854.7，技术领域涉及：C23F1/18；该发明授权一种TFT-LCD湿法工艺高速铜蚀刻液及其应用是由李瑞;张秋莲;邵勇;邓雪琴;费金燕;孔晓东设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TFT-LCD湿法工艺高速铜蚀刻液及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及蚀刻液领域，公开了一种TFT‑LCD湿法工艺高速铜蚀刻液及其应用，蚀刻液包括主蚀刻剂和补充剂；主蚀刻剂包括10～15wt％双氧水、2.8～3.8wt％第一有机碱、2.71～5.9wt％第一有机酸、0.001～0.01wt％缓蚀剂、0.01～0.2wt％双氧水稳定剂、0.1～2wt％pH调节剂、余量为去离子水；补充剂包括15～44wt％第二有机碱、15～35wt％第二有机酸、0.5～2wt％双氧水稳定剂、0.01～0.2wt％缓蚀剂、3～10wt％第三有机酸，余量为去离子水。蚀刻液具有环保无污染，蚀刻速度快，蚀刻角度均一稳定，无底切、钻孔、金属残留等，且溶铜量高。

本发明授权一种TFT-LCD湿法工艺高速铜蚀刻液及其应用在权利要求书中公布了：1.一种TFT-LCD湿法工艺高速铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液包括主蚀刻剂和补充剂； 所述主蚀刻剂包括按质量百分数计的成分有：10%~15%的双氧水、2.8%~3.8%的第一有机碱、2.71%~5.9%的第一有机酸、0.001%~0.01%的缓蚀剂、0.01%~0.2%的双氧水稳定剂、0.1%~2%的pH调节剂、余量为去离子水； 所述补充剂包括按质量百分数计的成分有：15%~44%的第二有机碱、15%~35%的第二有机酸、0.5%~2%的双氧水稳定剂、0.01%~0.2%的缓蚀剂、3%~10%的第三有机酸，余量为去离子水； 所述第一有机酸包括丙二酸、柠檬酸以及苹果酸，所述主蚀刻剂中丙二酸的质量百分数为0.7%~1.7%，所述柠檬酸的质量百分数为2%~4%，所述苹果酸的质量百分数为0.01%~0.2%； 所述第二有机碱包括3-二乙氨基丙胺和三异丙醇胺，所述补充剂中3-二乙氨基丙胺的质量百分数为10%~25%，所述三异丙醇胺的质量百分数为5%~19%； 所述第一有机碱为3-二乙氨基丙胺；所述缓蚀剂为5-氨基四氮唑；所述双氧水稳定剂为苯基脲；所述pH调节剂为硝酸； 所述第二有机酸为柠檬酸；所述第三有机酸为丙二酸。

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