厦门市三安集成电路有限公司余珍珍获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120511631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510991997.X，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路是由余珍珍;魏鸿基;洪思航;王鹏;郭子晗设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路，该静电放电防护电路包括连接于静电放电风险点处的钳位电路，所述钳位电路包括多个正向串联连接的第一类型二极管和第二类型二极管；所述第一类型二极管的数量大于所述第二类型二极管的数量；所述第二类型二极管的正向耐受电压大于所述第一类型二极管的正向耐受电压；所述钳位电路的压降总和大于所述静电放电风险点处的供电电压。
本发明授权静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路在权利要求书中公布了：1.一种静电放电防护电路，其特征在于，包括连接于静电放电风险点处的钳位电路，所述钳位电路包括多个正向串联连接的第一类型二极管和第二类型二极管； 所述第一类型二极管的数量大于所述第二类型二极管的数量； 所述第二类型二极管的正向耐受电压大于所述第一类型二极管的正向耐受电压； 所述钳位电路的压降总和大于所述静电放电风险点处的供电电压；其中，所述第一类型二极管为BC结二极管，所述第二类型二极管为BE结二极管。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：361006 福建省厦门市厦门火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼304-26；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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