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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利孔结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511071739.6，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权孔结构形成方法是由刘淼;周立;李虎;李兴龙设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本孔结构形成方法在说明书摘要公布了：一种孔结构形成方法，提供衬底，在所述衬底上依次形成有硬掩膜层和光刻胶掩膜层；以光刻胶掩膜层刻蚀硬掩膜层，形成至少贯穿所述硬掩膜层的凹槽后，对凹槽侧壁进行原位热化学反应处理，从而在硬掩膜层的侧壁上形成致密性高于硬掩膜层自身的保护层，然后以剩余所述硬掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底形成深孔。由于该保护层是通过原位热化学反应生长而成，保护层的结构致密，从而在对衬底进行干法刻蚀以形成深孔的过程中，保护层能够有效抵御干法刻蚀过程中刻蚀等离子体对硬掩膜层侧壁造成的损伤，能形成侧壁形貌更优的深孔，提高深孔顶部与底部宽度尺寸的一致性，有助于提高最终形成的半导体结构的电学性能和可靠性。

本发明授权孔结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种孔结构形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次形成有硬掩膜层和光刻胶掩膜层；其中，所述硬掩膜层包括依次层叠设置的至少两层子掩膜层，且相邻两个所述子掩膜层的材料不同，所述光刻胶掩膜层包括掩膜图案； 以所述光刻胶掩膜层为掩膜且以所述衬底为刻蚀停止层干法刻蚀所述硬掩膜层，形成至少贯穿所述硬掩膜层的凹槽； 去除所述光刻胶掩膜层，对所述凹槽暴露出的所述硬掩膜层的侧壁进行原位热化学反应处理，形成致密性高于所述硬掩膜层的保护层，所述保护层至少覆盖于剩余所述硬掩膜层的侧壁；对所述凹槽暴露出的所述硬掩膜层的侧壁进行原位热化学反应处理的步骤中，还对所述衬底的顶部进行原位热化学反应处理，所述保护层还覆盖于剩余所述衬底被所述凹槽暴露部分的表面上；采用去胶机台去除所述光刻胶掩膜层同时进行所述原位热化学反应处理，处理过程中向所述去胶机台的处理腔室内部输入反应气体； 以剩余所述硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述衬底形成深孔，所述干法刻蚀所述衬底形成深孔的步骤中，还包括：干法刻蚀去除剩余所述衬底上表面覆盖的部分所述保护层。

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