芯联集成电路制造股份有限公司张兆林获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120622404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511127594.7,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件是由张兆林设计研发完成,并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件在说明书摘要公布了:本申请涉及一种MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件,包括:在衬底上形成牺牲层;形成从牺牲层的上表面延伸至内部的第一凹槽;形成功能材料层;刻蚀功能材料层,形成固定驱动结构和可动驱动结构,固定驱动结构包括固定驱动质量块和多个固定梳齿结构,可动驱动结构包括可动驱动质量块和多个可动梳齿结构;可动驱动质量块包括用于与衬底间接相连的连接部以及远离连接部的自由端;至少与位于第一区间内的可动梳齿结构紧邻的固定梳齿结构被设置为:固定梳齿结构的投影落入第一凹槽的投影范围内,固定梳齿结构和牺牲层的下表面间的距离小于紧邻的可动梳齿结构和牺牲层的下表面间的距离;第一区间为从自由端向连接部方向延伸一段距离的区间;去除牺牲层。
本发明授权MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件在权利要求书中公布了:1.一种MEMS惯性器件的制备方法,其特征在于,包括: 提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲层,所述牺牲层包括靠近所述衬底的下表面和远离所述衬底的上表面; 形成从所述牺牲层的上表面延伸至内部的第一凹槽; 在所述牺牲层上形成功能材料层,所述功能材料层填充所述第一凹槽且在所述牺牲层上覆盖一定厚度; 刻蚀所述功能材料层,形成固定驱动结构和可动驱动结构,所述固定驱动结构包括固定驱动质量块和连接在所述固定驱动质量块上的多个固定梳齿结构,所述可动驱动结构包括可动驱动质量块和连接在所述可动驱动质量块上的多个可动梳齿结构,多个所述固定梳齿结构和多个所述可动梳齿结构交错排布;所述可动驱动质量块包括用于与所述衬底间接相连的连接部以及远离所述连接部的自由端;多个所述固定梳齿结构中至少与位于第一区间内的可动梳齿结构紧邻的固定梳齿结构被设置为:沿所述衬底的厚度方向,所述固定梳齿结构的投影落入所述第一凹槽的投影范围内,以使所述固定梳齿结构和所述牺牲层的下表面之间的距离小于紧邻的可动梳齿结构和所述牺牲层的下表面之间的距离;所述第一区间为从所述自由端向所述连接部的方向延伸一段距离的区间; 去除所述牺牲层,释放所述固定梳齿结构和所述可动梳齿结构。
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