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龙图腾网获悉厦门天三半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长设备及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120683608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511211297.0，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体生长设备及其生长方法是由龙博腾;许耀迪设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体生长设备及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体生长设备及其生长方法，属于碳化硅晶体生长领域，其包括机箱，在该机箱内设有一输送构件、一下炉体及一加气箱，该输送构件由一机架、连接于机架上的第一推动模组。本发明的碳化硅晶体生长设备及其生长方法，通过布设的连通构件，在当上炉体内的气压得到上升时能够触发驱动构件转动以作用于加热构件以使得加热环部分脱离对上炉体的加热，以降低上炉体内的温度，根据热胀冷缩原理，在当上炉体内的温度降低后，能够减缓上炉体内气体的膨胀的速度，在第一次平衡气压时，在当驱动构件转动的同时还能够通过气压平衡构件快速的调节稳压管内的进气量，以实现降低稳压管内的进气量。

本发明授权一种碳化硅晶体生长设备及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长设备，包括机箱，在该机箱内设有一输送构件、一下炉体及一加气箱，该输送构件由一机架、连接于机架上的第一推动模组，连接于第一推动模组上的第二推动模组所构成，在第二推动模组上具有一上炉体，在加气箱上具有一稳压管，在稳压管的一端具有一能够穿入至上炉体内的软管，其特征在于，还包括： 加热构件，其设于该上炉体上； 驱动构件，其设于该机箱上，该驱动构件包括设于机箱上的底座，在该底座上设有一转筒，在该转筒上设有一齿盘及一驱动环，在该驱动环上具有一第一凸起段及一第二凸起段； 连通构件，其设于该下炉体上； 气压平衡构件，其设于该驱动构件上，该气压平衡构件包括： 机框，其设于该驱动构件上，在机框内滑动设有一推板，在推板的一端具有一齿条段，在推板上设有一滚轮及内嵌杆，在内嵌杆上设有一第二弹簧； 随动杆，其设于机框内，在该随动杆上设有一平衡件； 泄气构件，其设于该机框上，其能够在该推板运动时被驱动； 该平衡件包括： 套筒，其布设于该机框上，在该套筒内可滑动的布设有一平衡杆； 第三弹簧，其套设于该平衡杆上； 不完全柱轮，其可滑动的布设于该套筒内，且不完全柱轮与该平衡杆之间相连接； 齿轮，其布设于该随动杆上，该齿轮能够与该推板具有的齿条段之间相互啮合，在齿轮上具有一驱动杆； 控压板，其布设于该平衡杆上； 该泄气构件包括： 基盘，其布设于该机框上； 摆杆，其可转动的设于该基盘上，在该摆杆上设有一第四弹簧，且该第四弹簧与该基盘之间连接； 凸台，其布设于该摆杆上，该凸台与摆杆之间形成一阶梯面； 转轮，其转动布设于基盘上，在转轮上连接有一尾撑及一下撑，在初始位置时，该尾撑与阶梯面之间相抵触，该下撑位于该推板的一侧； 联动杆，其可转动的布设于该基盘上，在该联动杆上转动设有一压杆，在初始位置时，该压杆位于泄压阀把手端的上方。

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