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龙图腾网获悉成都思科瑞微电子股份有限公司申请的专利一种星载电源芯片浪涌防护测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120686003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511199006.0，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种星载电源芯片浪涌防护测试系统及方法是由杨大为;唐川;张鸿;徐志波;邓志勇设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种星载电源芯片浪涌防护测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种星载电源芯片浪涌防护测试系统及方法，涉及浪涌防护测试技术领域，通过浪涌波形模拟监测模块，在搭建好的测试环境中精准监测浪涌测试过程中的干扰波形，确保测试源的可追溯性；浪涌波形质量判定与调节模块实时获取并分析波形质量参数，动态判断其是否满足测试条件，可及时剔除不合格波形，避免无效测试，提升测试效率；芯片测试可靠度分级模块将合格浪涌波形施加于待测芯片，采集并解析防护测试过程参数，实现对测试结果的分级处理；该系统通过模块化设计，实现了浪涌测试的全流程规范化与精准化，有效保障了测试数据的可靠性与一致性，为星载电源芯片浪涌防护性能的科学评估提供了有力支撑。

本发明授权一种星载电源芯片浪涌防护测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种星载电源芯片浪涌防护测试系统，其特征在于：包括以下模块： 浪涌波形模拟监测模块，用于基于搭建完成的测试环境，在测试环境中，监测浪涌测试过程中的浪涌干扰波形； 浪涌波形质量判定与调节模块，用于实时获取浪涌干扰波形的质量参数，分析获取的浪涌干扰波形质量参数，从而判断浪涌干扰波形是否满足测试条件，具体判断过程为：分析获取的浪涌干扰波形质量参数，得出浪涌干扰波形质量指数，并与测试数据库中预设的浪涌干扰波形质量阈值进行比对，若浪涌干扰波形质量指数大于或等于浪涌干扰波形质量阈值，则判断浪涌干扰波形满足测试条件，同时对满足测试条件的浪涌干扰波形参数进行微调，从而判断浪涌干扰波形的稳定性，若浪涌干扰波形质量指数小于浪涌干扰波形质量阈值，则判断浪涌干扰波形不满足测试条件，基于浪涌干扰波形质量指数与浪涌干扰波形质量阈值，获取浪涌质量偏差值，基于浪涌质量偏差值匹配触发脉冲幅值增大系数，从而增大触发脉冲的幅值，基于浪涌质量偏差值匹配驱动电路功率增大系数，从而增大驱动电路的功率，同时调用浪涌发生模块的历史运行数据，自动推荐各参数组合，重新获取浪涌干扰波形质量指数，标记为浪涌质量重审指数，从而判断是否对浪涌干扰波形进行预警； 芯片测试可靠度分级模块，用于将满足测试条件的浪涌干扰波形施加到待测的星载电源芯片上进行防护测试，采集并解析防护测试的过程参数，从而对星载电源芯片浪涌防护测试结果进行分级处理，所述浪涌干扰波形质量指数，具体分析过程为：所述浪涌干扰波形的质量参数包括浪涌干扰波形的过冲幅度因子、浪涌干扰波形的上升沿陡峭度因子以及浪涌干扰波形的振荡衰减率因子，在测试数据库中设定过冲幅度因子、上升沿陡峭度因子以及振荡衰减率因子各自对应的作用强度系数，量化各因子对浪涌干扰波形质量指数的影响贡献值，最终通过加权综合各影响贡献值得到浪涌干扰波形质量指数，其中浪涌干扰波形质量指数，表示浪涌发生模块所产生浪涌的质量程度，所述对星载电源芯片浪涌防护测试结果进行分级处理，具体分析过程为：分析防护测试过程参数，得出芯片测试可靠性指数，并与测试数据库中预设的第一可靠性指数和第二可靠指数进行比对，若芯片测试可靠性指数大于第一可靠性指数，则将本次芯片测试结果标记为一级可靠度，同时预测芯片在星载环境下的在轨稳定工作时长，若芯片测试可靠性指数小于或等于第一可靠性指数且芯片测试可靠性指数大于或等于第二可靠性指数，则将本次芯片测试结果标记为二级可靠度，同时对芯片测试过程进行优化，若芯片测试可靠性指数小于第二可靠性指数，则将本次芯片测试结果标记为三级可靠度，同时对芯片测试过程进行改进，重新获取芯片测试可靠性指数，并标记为芯片测试可靠性终值，从而判断是否对芯片测试结果的可靠性进行预警，所述解析防护测试的过程参数，具体解析过程为：所述防护测试的过程参数包括防护测试过程中浪涌注入点的阻抗突变率因子、浪涌后芯片内部的热梯度衰减速率因子以及芯片引脚间的瞬态共模电压因子，获取浪涌干扰波形质量综合指数，在测试数据库中设定阻抗突变率因子、热梯度衰减速率因子、瞬态共模电压因子以及浪涌干扰波形质量综合指数各自对应的作用强度系数，量化各因子对芯片测试可靠性指数的影响贡献值，最终通过加权综合各影响贡献值得到芯片测试可靠性指数，其中芯片测试可靠性指数，指的是芯片测试结果的可靠性程度。

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