芯联集成电路制造股份有限公司马玉莎获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511255701.4，技术领域涉及：H01L21/76；该发明授权应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆是由马玉莎;王新龙设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆在说明书摘要公布了：本申请涉及一种应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆，包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括第一表面和第二表面，第一表面为与第二晶圆的键合面；从第一表面侧在第一晶圆内形成隔离槽和通槽，隔离槽和通槽均从第一表面延伸至第一晶圆内，通槽深度小于隔离槽深度；从第二表面侧在第一晶圆内形成隔离腔；第一晶圆包括应力隔离区和围绕在应力隔离区外周的第一切割道区，应力隔离区与第二晶圆的芯片区对应，第一切割道区与第二晶圆的第二切割道区对应，应力隔离区包括第一隔离区和围绕在第一隔离区外周的第二隔离区，隔离槽形成在第二隔离区，通槽从第一切割道区向第一隔离区的方向延伸至连通隔离槽，隔离腔形成在第一隔离区。
本发明授权应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆在权利要求书中公布了：1.一种应力隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面作为与第二晶圆进行键合的键合面，所述第二晶圆为芯片晶圆； 从所述第一表面侧在所述第一晶圆内形成隔离槽和通槽，所述隔离槽和所述通槽均从所述第一表面延伸至所述第一晶圆内，所述通槽的深度小于所述隔离槽的深度； 从所述第二表面侧在所述第一晶圆内形成隔离腔； 其中，所述第一晶圆包括应力隔离区和围绕在所述应力隔离区外周的第一切割道区，所述应力隔离区与所述第二晶圆上的芯片区位置相对应，所述第一切割道区与所述第二晶圆上的第二切割道区位置相对应，所述应力隔离区包括第一隔离区以及围绕在所述第一隔离区外周的第二隔离区，所述隔离槽形成在所述第二隔离区，所述通槽从所述第一切割道区向所述第一隔离区的方向延伸至连通所述隔离槽，所述隔离腔形成在所述第一隔离区。
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