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龙图腾网获悉欣强电子(清远)股份有限公司申请的专利一种类载板的MSAP加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511231879.5，技术领域涉及：H05K3/02；该发明授权一种类载板的MSAP加工工艺是由徐志强设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种类载板的MSAP加工工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，涉及一种类载板的MSAP加工工艺，选择铜箔为起始材料，对铜箔表面进行清洁和活化处理，将铜箔浸入特制的棕化药水中，控制反应时间和温度，使铜箔均匀减薄至4μm，从棕化药水中取出铜箔，进行清洗与干燥后，在减薄后的铜箔上均匀涂覆一层光刻胶，使用特定的光掩模对光刻胶进行曝光，再进行显影处理，形成所需的电路图案，在未被光刻胶保护的区域进行电镀，形成导电路径，通过激光的方式去除剩余的光刻胶，使用蚀刻剂去除多余的铜箔，留下电路图案，本发明通过使用棕化药水，来减薄铜箔到约4μm的方法，能够有效替代传统技术制造的18+3μm厚度载体铜箔，从而解决了现有技术中载体铜箔厚、价格高的问题。

本发明授权一种类载板的MSAP加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种类载板的MSAP加工工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤： 步骤一、材料准备：选择铜箔作为起始材料； 步骤二、表面处理：对铜箔表面进行清洁和活化处理； 步骤三、棕化药水处理：将铜箔浸入特制的棕化药水中，控制反应时间和温度，使铜箔均匀减薄至4μm； 步骤四、清洗与干燥：从棕化药水中取出铜箔，进行清洗后，在烘箱中进行干燥； 步骤五、光刻胶涂覆：在减薄后的铜箔上均匀涂覆一层光刻胶； 步骤六、曝光与显影：使用特定的光掩模对光刻胶进行曝光，再进行显影处理，形成所需的电路图案； 步骤七、电镀：在未被光刻胶保护的区域进行电镀，形成导电路径； 步骤八、去除光刻胶：通过激光的方式去除剩余的光刻胶； 步骤九、蚀刻：使用蚀刻剂去除多余的铜箔，留下电路图案； 步骤十、清洗与检验：完成蚀刻后，对得到的PCB进行清洗并进行质量检验； 所述棕化药水的成分组成及其配比为：硅烷偶联剂1.12%～1.51%；苯并三唑2.16%～2.22%；双氧水5.20%～6.00%；乙醇酸3.08%～3.34%；硝酸锌1.04%～1.20%；巯基乙酸4.26%～4.66%；2-巯基苯并噻唑0.66%～0.80%；甲基苯三唑0.91%～1.02%；无水硫酸铜5.44%～5.72%；盐酸4.07%～4.52%； 所述特定的光掩模的曝光过程：使用深紫外光掩模在高强度紫外线光源下，将光刻胶曝光时长为5—10s。

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