浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120805843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511324348.0，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法是由谢刚;黄文军设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法在说明书摘要公布了：本申请提供了多物理场耦合的SGTMOS可靠性分析平台及方法，涉及半导体技术领域，所述平台包括：结构层拆分模块，对SGTMOS器件进行结构层拆分；独立系数矩阵构建模块，导入每个物理场下损伤状态样本数据；耦合物理场定义模块，定义耦合物理场；耦合系数矩阵构建模块，导入耦合物理场下联合损伤状态样本数据；可靠性计算模块，根据独立影响系数矩阵和耦合影响系数矩阵构建可靠性计算模块，输出第一可靠性计算结果。通过本申请可以解决现有技术中由于忽略了多个物理场之间的耦合效应，导致SGTMOS可靠性评估的准确性较低的技术问题，通过独立影响分析和耦合影响分析，提高了可靠性评估的准确性。
本发明授权多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法在权利要求书中公布了：1.多物理场耦合的SGTMOS可靠性分析系统，其特征在于，包括： 结构层拆分模块，用于对SGTMOS器件进行结构层拆分，输出多个结构层； 独立系数矩阵构建模块，用于导入每个物理场下所述多个结构层的损伤状态样本数据，基于所述损伤状态样本数据构建多个物理场下的独立影响系数矩阵； 耦合物理场定义模块，用于定义耦合物理场，其中，所述耦合物理场为至少两个物理场耦合产生的物理场； 耦合系数矩阵构建模块，用于导入所述耦合物理场下所述多个结构层的联合损伤状态样本数据，基于所述联合损伤状态样本数据构建多个耦合物理场下的耦合影响系数矩阵； 可靠性分析模块，用于根据所述独立影响系数矩阵和所述耦合影响系数矩阵构建可靠性计算模块，根据所述可靠性计算模块输出所述SGTMOS器件在目标耦合物理场下的第一可靠性计算结果。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江广芯微电子有限公司，其通讯地址为：323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道七百秧街122号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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