深圳市阿赛姆电子有限公司陈伦森获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市阿赛姆电子有限公司申请的专利一种高浪涌ESD静电抑制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120810541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511261353.1，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种高浪涌ESD静电抑制器是由陈伦森;黄文春;朱魏巍设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高浪涌ESD静电抑制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高浪涌ESD静电抑制器，涉及静电抑制器技术领域，包括绝缘基底，端电极对称设置于基底的两侧；多个内部电极嵌设于绝缘基底内部，内部电极与导电聚合物层电连接；导电聚合物层设置于多个内部电极之间，用于ESD能量吸收与导通；导电聚合物层与内部电极之间设置有阵列排布的凸点单元；绝缘基底与导电聚合物层之间的连接界面分别设置有过渡界面；绝缘基底的上方设置有包覆在导电聚合物层外侧的框架单元，框架单元的两端搭接在端电极顶部，框架单元与绝缘基底之间通过连接件相互连接，端电极及内部电极在对应于连接件的位置处分别开设有通孔；本发明提高器件长期的ESD抑制稳定性与可靠性。
本发明授权一种高浪涌ESD静电抑制器在权利要求书中公布了：1.一种高浪涌ESD静电抑制器，其特征在于，包括： 绝缘基底1； 端电极2，对称设置于所述基底的两侧； 多个内部电极3，嵌设于所述绝缘基底1内部，所述内部电极3与导电聚合物层4电连接； 导电聚合物层4，设置于多个内部电极3之间，用于ESD能量吸收与导通； 所述导电聚合物层4与所述内部电极3之间设置有阵列排布的凸点单元5； 所述绝缘基底1与所述导电聚合物层4之间的连接界面分别设置有过渡界面6，所述过渡界面6呈具有周期结构的锯齿形或波纹形； 所述绝缘基底1的上方设置有包覆在所述导电聚合物层4外侧的框架单元7，所述框架单元7的两端搭接在所述端电极2顶部，所述框架单元7与所述绝缘基底1之间通过连接件8相互连接，所述端电极2及内部电极3在对应于所述连接件8的位置处分别开设有通孔。
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