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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511306744.0，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法是由陈冰;杨秀;张洪瑞;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法。所述非易失存储器制备方法包括：在衬底上钝化生成SiO2层，并在SiO2上沉积非晶态HZO层并热退火转换成铁电相HZO；在铁电层上溅射生成金属层，在所述金属层上沉积阻变层，溅射TaTiN金属形成顶电极；并通过光刻形成栅图形窗口；在结区进行离子注入后并退火并生长一层SiO2，光刻形成底电极窗口，溅射形成底电极。本发明提出了基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法形成的存储器采用FCM与RRAM结构串联，利用二者高写入速度、高耐久、低功耗、高储存密度以及新的存储机制等优势来弥补传统铁电电容存储器的不足，为相关存储技术奠定坚实的基础并为实现工业化做充实准备。

本发明授权基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法在权利要求书中公布了：1.基于RRAM+FCM结构的非易失存储器制备方法，其特征在于，所述非易失存储器制备方法包括： 在衬底上生成SiO2层，并在SiO2上沉积非晶态HZO层并热退火转换成铁电相HZO； 在铁电层上溅射生成金属层，在所述金属层上沉积阻变层，在阻变层上溅射一层金属并通过光刻形成栅图形窗口； 在结区进行半导体掺杂后并退火； 在器件上方生长一层SiO2，光刻形成底电极窗口，在底电极窗口内溅射形成底电极金属； 其中，在衬底上生成SiO2层，并在SiO2上沉积非晶态HZO层并热退火转换成铁电相HZO，包括： 采用RCA清洗工艺对Si衬底100进行清洗； 采用蓄热式热力焚化炉在Si衬底100的表面上钝化生成SiO2层101； 采用原子沉积方法在SiO2层101上沉积非晶态HZO层； 在氮气N2氛围中采用300~600℃的热退火方式在SiO2层101的非晶态HZO层上形成铁电相HZO102； 其中，蓄热式热力焚化炉采用预设的温控策略在Si衬底100的表面上钝化生成SiO2层101；其中，所述温控策略包括预热阶段、第一阶梯氧化阶段、脉冲高温阶段、第二阶梯氧化阶段和降温阶段。

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