浙江创豪半导体有限公司连程杰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利封装基板镭射钻孔方法及封装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120816166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511322613.1，技术领域涉及：B23K26/382；该发明授权封装基板镭射钻孔方法及封装基板是由连程杰;唐华;卢海林;张婷;王俊设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板镭射钻孔方法及封装基板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种封装基板镭射钻孔方法及封装基板，封装基板包括依次层叠的第一铜层、介质层、第二铜层，方法包括：以第一激光能量进行第一钻孔操作，在第一铜层上烧蚀掉一环形区域；以第二激光能量进行第二钻孔操作，去除环形区域中间的铜盖以及部分介质层，形成盲孔，第二激光能量小于第一激光能量；以第三激光能量进行第三钻孔操作，去除盲孔底部的介质层，直至盲孔底部露出第二铜层，第三激光能量小于第二激光能量。本申请实施例的封装基板镭射钻孔方法，在满足镭射钻孔品质要求的前提下，能够提高镭射钻孔加工效率。
本发明授权封装基板镭射钻孔方法及封装基板在权利要求书中公布了：1.一种封装基板镭射钻孔方法，其特征在于，所述封装基板包括依次层叠的第一铜层、介质层、第二铜层，所述第二铜层形成有焊盘，所述方法包括： 以第一激光能量进行第一钻孔操作，在所述第一铜层上烧蚀掉一环形区域； 确定待加工的盲孔底部的焊盘类型； 根据所述焊盘类型确定对应的第二激光能量、第三激光能量； 以第二激光能量进行第二钻孔操作，去除所述环形区域中间的铜盖以及部分所述介质层，形成盲孔，所述第二激光能量小于所述第一激光能量； 以第三激光能量进行第三钻孔操作，去除所述盲孔底部的所述介质层，直至所述盲孔底部露出所述第二铜层，所述第三激光能量小于所述第二激光能量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创豪半导体有限公司，其通讯地址为：321000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏华街553号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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