浙江广芯微电子有限公司谢刚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120822479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511324760.2，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法及系统是由谢刚;刘斌凯设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法及系统，涉及半导体技术领域。所述方法包括：构建结构参数数据库，基于目标功能需求进行匹配分析，获得初始结构参数，并确定电场分布偏差信息；确定结构参数优化阈值；以结构参数优化阈值为约束，对初始结构参数进行多次随机调整，获得多个调整结构参数，结合电场分布偏差信息进行比对寻优，确定目标结构参数；获取应用工况信息，进行设计优化，并结合应用工况信息，获取模拟电场分布，基于模拟电场分布获得反馈优化结构参数。解决了现有技术中结构参数选择不精准导致电场分布不均匀和性能不稳定的技术问题，达到了提升高压应用中的CoolMOS性能和稳定性的技术效果。
本发明授权面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.面向高压应用的CoolMOS结构参数优化方法，其特征在于，所述方法包括： 构建CoolMOS结构参数数据库，基于目标功能需求与所述CoolMOS结构参数数据库进行匹配分析，获得初始CoolMOS结构参数，并根据所述CoolMOS结构参数确定电场分布偏差信息； 基于所述CoolMOS结构参数数据库确定结构参数优化阈值； 以所述结构参数优化阈值为约束，对所述初始CoolMOS结构参数进行多次随机调整，获得多个调整CoolMOS结构参数，结合所述电场分布偏差信息对所述多个调整CoolMOS结构参数进行比对寻优，确定目标CoolMOS结构参数； 获取应用工况信息，利用所述目标CoolMOS结构参数进行CoolMOS设计优化，并结合所述应用工况信息，利用电场仿真软件进行电场分布模拟，获取模拟电场分布，基于所述模拟电场分布获得反馈优化CoolMOS结构参数。
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