长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511295020.0，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：第一介质层，以及位于第一介质层内的第一金属层，第一介质层未覆盖第一金属层的顶面；自组装单层，覆盖第一金属层的部分顶面；第二介质层，位于第一介质层上并覆盖自组装单层；第三介质层，位于第二介质层上并与第二介质层键合连接；第一通孔，贯穿第二介质层以及至少部分第三介质层；阻挡层，至少覆盖第一通孔的侧壁且不覆盖第一通孔的底部；第二通孔，位于第一通孔下方并与第一通孔连通，第二通孔暴露第一金属层的部分顶面以及自组装单层的部分侧壁；导电插塞，覆盖位于第一通孔内的阻挡层并填充第一通孔和第二通孔，导电插塞与第一金属层直接接触连接。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一介质层，以及位于所述第一介质层内的第一金属层，所述第一介质层未覆盖所述第一金属层的顶面； 自组装单层，覆盖所述第一金属层的部分顶面； 第二介质层，位于所述第一介质层上并覆盖所述自组装单层； 第三介质层，位于所述第二介质层上并与所述第二介质层键合连接； 第一通孔，贯穿所述第二介质层以及至少部分所述第三介质层； 阻挡层，至少覆盖所述第一通孔的侧壁且不覆盖所述第一通孔的底部； 第二通孔，位于所述第一通孔下方并与所述第一通孔连通，所述第二通孔暴露所述第一金属层的部分顶面以及所述自组装单层的部分侧壁； 导电插塞，覆盖位于所述第一通孔内的所述阻挡层并填充所述第一通孔和所述第二通孔，所述导电插塞与所述第一金属层直接接触连接。
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