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龙图腾网获悉九域半导体科技(苏州)有限公司申请的专利一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120831396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511340213.3，技术领域涉及：G01N27/04；该发明授权一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法是由宋子威;罗观明;刘全义设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法，涉及半导体测量技术领域，解决了在部分情况下待测薄晶锭对应电阻率的测量出现偏差的问题，包括对待测薄晶锭进行电学检测，分析得到待测薄晶锭的计算表面电阻率；基于待测薄晶锭的计算表面电阻率识别待测薄晶锭的薄晶锭种类，结合趋肤效应计算待测薄晶锭的趋肤深度；设定多组与待测薄晶锭相似的对照薄晶锭，对多组对照薄晶锭进行涡流法测试，基于测试结果计算对照薄晶锭的补偿系数；基于补偿系数计算拟合方程并写入上位机，结合拟合方程计算待测薄晶锭的实际电阻率，本发明实现对待测薄晶锭对应电阻率的准确测量，同时还实现待测薄晶锭对应电阻率的自动化与智能化测量。

本发明授权一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于涡流法探头的薄晶锭电阻率检测方法，其特征在于，方法包括： 步骤S1，对待测薄晶锭进行电学检测，分析得到待测薄晶锭的计算表面电阻率； 步骤S2，基于待测薄晶锭的计算表面电阻率识别待测薄晶锭的薄晶锭种类，结合趋肤效应计算待测薄晶锭的趋肤深度； 步骤S3，设定多组与待测薄晶锭相似的对照薄晶锭，对多组对照薄晶锭进行涡流法测试，基于测试结果计算对照薄晶锭的补偿系数； 其中，所述步骤S3包括如下子步骤： 步骤S31，获取待测薄晶锭的趋肤深度，将趋肤深度的三倍记为待测薄晶锭的穿透深度； 步骤S32，获取待测薄晶锭的计算表面电阻率与薄晶锭表面积，将计算表面电阻率与薄晶锭表面积作为对照薄晶锭的参数； 步骤S33，以穿透深度为对照薄晶锭的峰值厚度，使得不同对照薄晶锭具有阶梯状的厚度变化，将对照薄晶锭编号为i，i=1，2，……，z，z为正整数； 步骤S34，选取薄晶锭厚度最小的对照薄晶锭，以对照薄晶锭上表面为检测面，识别检测面的边缘，以边缘向检测面中心固定宽度的区域记为危险区域，将除危险区域以外的区域记为正常区域，将正常区域划分为多个边长固定的栅格，在多个栅格内随机选取n个作为检测栅格； 步骤S35，依次通过步骤S23-步骤S24中所述参数的涡流探头测量检测栅格的涡流信号；基于涡流信号反解得到对照薄晶锭的计算电阻率，将n个检测栅格对应的检测电阻率相加求和取平均得到检测电阻率； 步骤S36，对照薄晶锭的检测电阻率比对计算表面电阻率； 若对照薄晶锭的检测电阻率等于计算表面电阻率，则直接执行步骤S37； 若对照薄晶锭的检测电阻率不等于计算表面电阻率，则记录对照薄晶锭的薄晶锭厚度与检测电阻率； 步骤S37，选取下一薄晶锭厚度的对照薄晶锭，重复执行步骤S34至步骤S36，并将划分栅格的过程替换为直接在当前对照薄晶锭中相同位置选取检测栅格；最终得到多组检测电阻率与薄晶锭厚度； 步骤S38，通过对照薄晶锭的检测电阻率除以计算表面电阻率得到对应薄晶锭厚度的对照薄晶锭的补偿系数； 步骤S4，基于补偿系数计算拟合方程并写入上位机，结合拟合方程计算待测薄晶锭的实际电阻率。

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