南京大学王凯获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120832923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511345483.3，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件及其使用方法是由王凯;宋年华;李张南;沈凡翔;段爽;蒋骏杰;刘泉设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件及其使用方法，属于半导体技术领域。该移位累加半导体器件通过不断向器件的输入端口传输待计算电压，可将依次传入的电压信息逐个累加或以二进制关系移位并累加计算，可减小神经网络加速硬件系统中的成本和功耗，本申请提供的移位累加半导体器件还可通过增设移位累加管的方式进一步提高移位累加的精度。
本发明授权一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于浮栅结构的移位累加半导体器件，其特征在于，所述器件包括：第一移位管、第二移位管、第一写入开关管、第二写入开关管和电荷读出管； 所述第一移位管用于将第一写入开关管传入的电压信息转换为电荷量并参与电荷移位和共享，包括在衬底之上依次设置的底层介质层、第一浮栅、第一顶层介质层、第一控制栅，衬底内不设源极和漏极； 所述第二移位管用于收集、共享从第一移位管移位的电荷信息，包括在衬底之上依次设置的底层介质层、第二浮栅、第二顶层介质层、第二控制栅，衬底内不设源极和漏极； 所述第一写入开关管用于将待计算的电压信息写入至第一移位管的耗尽区，包括在衬底之上依次设置的底层介质层、第三浮栅、第三顶层介质层、第三控制栅，衬底内设有第一漏极； 所述第二写入开关管用于隔离或共享第一移位管和第二移位管之间的电荷信息，包括在衬底之上依次设置的底层介质层、第四浮栅、第四顶层介质层、第四控制栅，衬底内不设源极和漏极； 所述电荷读出管用于读出第二移位管中的电荷信息，包括在衬底之上依次设置的底层介质层、与第二移位管共享的第二浮栅、第二顶层介质层、第二控制栅，在衬底内设有源极和第二漏极。
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