天合光能股份有限公司高纪凡获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511350979.X，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权太阳能电池及太阳能电池的制备方法是由高纪凡;查鹏;王文贤设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法，其包括基底、隧穿氧化钝化结构、本征非晶硅层、第一钝化层、第一透明导电结构以及第一电极。基底包括相对设置的第一面和第二面，第一面包括交替排布的第一区和第二区；第一区包括电极区和非电极区；隧穿氧化钝化结构设置于第一区；本征非晶硅层设置于非电极区；第一钝化层设置于本征非晶硅层背离隧穿氧化钝化结构一侧的非电极区；第一透明导电结构覆盖于第一钝化层以及位于电极区的隧穿氧化钝化结构，且位于电极区的第一透明导电结构厚度小于位于非电极区的第一透明导电结构厚度；第一电极设置于电极区。本申请能够通过第一透明导电结构保护本征非晶硅层和第一钝化层，使得第一钝化层不易损坏。
本发明授权太阳能电池及太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括： 基底110，所述基底110包括相对设置的第一面111和第二面112，所述第一面111包括交替排布的第一区111a和第二区111b；所述第一区111a包括电极区111a1和非电极区111a2； 隧穿氧化钝化结构120，设置于所述第一区111a； 本征非晶硅层130，设置于所述隧穿氧化钝化结构120背离所述基底110一侧的非电极区111a2； 第一钝化层140，设置于所述本征非晶硅层130背离所述隧穿氧化钝化结构120一侧的非电极区111a2； 第一透明导电结构200，覆盖于所述第一钝化层140以及位于所述电极区111a1的隧穿氧化钝化结构120，且位于所述电极区111a1的所述第一透明导电结构200的厚度小于位于所述非电极区111a2的所述第一透明导电结构200的厚度； 第一电极300，设置于所述电极区111a1。
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