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龙图腾网获悉南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120864445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511374494.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法是由权军赫设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法，包括：确定叠层金属凸点的层数、预设单层金属厚度、预设单层光刻胶厚度；在前处理后的基板上表面镀膜形成金属种子层；在金属种子层上表面涂敷光刻胶，形成厚度为预设单层光刻胶厚度的光刻胶层；将掩模板覆盖在光刻胶层上，曝光显影后形成图形凹槽；在图形凹槽中镀膜形成单层金属凸点；对单层金属凸点进行平坦化处理后，将单层金属凸点的上表面去除一定厚度，使得单层金属凸点的厚度为预设单层金属厚度；去除光刻胶层和裸露的金属种子层；得到单层金属凸点。本发明提供的MEMS的叠层金属凸点的制备方法，解决相邻金属凸点的切面长底边之间的间距过小易导致短路的问题，且减小尖端放电风险。

本发明授权一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS的叠层金属凸点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤10，根据预设叠层金属凸点高度、预设叠层金属凸点宽度和光刻胶角度，确定叠层金属凸点的层数以及预设单层金属厚度；根据单层金属凸点对应的掩模板的透光区域宽度或遮光区域宽度、预设叠层金属凸点宽度以及光刻胶角度，得到预设单层光刻胶厚度； 所述光刻胶为正性光刻胶；所述步骤10中，根据单层金属凸点对应的掩模板的透光区域宽度，预设叠层金属凸点宽度以及光刻胶角度，利用式Ⅰ得到预设单层光刻胶厚度： H光刻胶=[W金属凸点-W掩模板透光区域2]*tanθ式Ⅰ 式中，H光刻胶表示预设单层光刻胶厚度，W金属凸点表示预设叠层金属凸点宽度，W掩模板透光区域表示掩模板的透光区域宽度，θ表示光刻胶角度； 或者，所述光刻胶为负性光刻胶；所述步骤10中，根据单层金属凸点对应的掩模板的遮光区域宽度，预设叠层金属凸点宽度以及光刻胶角度，利用式Ⅱ得到预设单层光刻胶厚度： H光刻胶=[W掩模板遮光区域-W金属凸点2]*tanθ式Ⅱ 式中，H光刻胶表示预设单层光刻胶厚度，W金属凸点表示预设叠层金属凸点宽度，W掩模板遮光区域表示掩模板的遮光区域宽度，θ表示光刻胶角度； 所述预设单层金属厚度H单层金属与预设叠层金属凸点宽度W金属凸点之比为0.3*tanθ～0.4*tanθ； 步骤20，对基板1进行前处理； 步骤30，在基板1的上表面镀膜形成金属种子层2； 步骤40，在金属种子层2的上表面涂敷光刻胶，形成光刻胶层3，光刻胶层3的厚度为预设单层光刻胶厚度； 步骤50，将掩模板覆盖在光刻胶层3上，利用光刻机进行曝光，利用显影设备进行显影，形成图形凹槽； 步骤60，在图形凹槽中镀膜形成单层金属凸点4； 步骤70，对单层金属凸点4进行平坦化处理，使得单层金属凸点4上表面与光刻胶层3上表面齐平； 步骤80，将单层金属凸点4的上表面去除一定厚度，使得单层金属凸点的厚度为预设单层金属厚度； 步骤90，去除光刻胶层3； 步骤100，去除裸露的金属种子层2； 步骤101，在基板1和单层金属凸点4的上表面涂敷光刻胶，形成光刻胶层，光刻胶层高于单层金属凸点4的厚度为预设单层光刻胶厚度； 步骤102，重复步骤50～90； 步骤103，重复步骤101～102共N次，N的大小为叠层金属凸点的层数减去2，从而得到叠层金属凸点。

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