长春理工大学王登魁获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120866938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511404075.0，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法是由王登魁;方铉;闫彤薇;王勇;房丹;郝誉;杜鹏;闫昊;范杰;邹永刚;刘嘉琪;王海珠;李金华;翟英娇;王东博;周陶杰设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法。具体技术方案为：包括GaSb衬底，在所述GaSb衬底层上通过分子束外延技术生长GaSb缓冲层和3个周期的量子阱有源区Inx1Ga1‑x1Asy1Sb1‑y1Alx2Ga1‑x2Asy2Sb1‑y2，其中，0＜x1＜1，0＜x2＜1，0＜y1＜1，0＜y2＜1。本发明基于分子束外延生长技术，通过在InGaAsSb势阱层中掺入Si施主杂质，提高价带带阶，以解决Ⅰ型量子阱中高In组分的阱层材料价带带阶减小，加剧载流子泄露的问题，形成具有高辐射复合效率量子阱结构，为3～5μm中红外波段激光器提供高质量有源区材料。
本发明授权一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法，其特征在于：包括GaSb衬底，在所述GaSb衬底层上通过分子束外延技术生长GaSb缓冲层和3个周期的量子阱有源区Inx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2，其中，0＜x1＜1，0＜x2＜1，0＜y1＜1，0＜y2＜1； 量子阱层为Inx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1，0＜x1＜1，0＜y1＜1；量子垒层为Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2，0＜x2＜1，0＜y2＜1；所述量子阱层Inx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1中掺杂Si，取代量子阱层中III族元素，掺杂量为1～5%。
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