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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种晶圆减薄设备控制方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120901774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511458344.1，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种晶圆减薄设备控制方法、装置、电子设备及存储介质是由李国强;衣新燕;黄子梁设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆减薄设备控制方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆减薄设备控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及晶圆减薄技术领域。该方法包括步骤：实时监测旋涂液膜的铺展和变薄行为并生成残留层分布图；根据残留层分布图指示的区域，通过分析从该区域接收到的荧光信号，获得局部厚度信息；利用激光束扫描晶圆表面后，通过分析反射光信号，识别并提取微振动信号；将晶圆表面划分为多个网格区域；评估每个网格区域产生裂纹的风险，并生成用于控制研磨头和研磨液的晶圆表面风险热力图。本发明的方法旨在解决晶圆减薄过程中，因晶圆表面微观残留层或表面能差异导致的一系列问题，实现对晶圆表面微观异常的早期、精确感知，并指导控制系统进行区域性、自适应的研磨参数调整。

本发明授权一种晶圆减薄设备控制方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆减薄设备控制方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在晶圆表面旋涂量子点材料的过程中，实时监测旋涂液膜的铺展和变薄行为，并将监测到的旋涂液膜的铺展和变薄行为与预设的标准液膜行为模型进行比较，得到比较结果； S2.根据所述比较结果判断晶圆表面是否存在微观残留层或表面能差异，并生成晶圆表面残留层分布图；所述晶圆表面残留层分布图用于指示存在微观残留层或表面能差异的区域； S3.根据所述晶圆表面残留层分布图指示的区域，对量子点厚度传感器从该区域接收到的荧光信号进行分析，获得局部晶圆厚度信息； S4.控制阵列式激光单元发射特定频率调制的激光束扫描晶圆表面后，接收扫描产生的反射光信号； S5.通过分析所述反射光信号，识别并提取与局部应力集中相关的微振动信号； S6.通过对晶圆表面进行网格化处理，将晶圆表面划分为多个网格区域； S7.根据所述晶圆表面残留层分布图、所述局部晶圆厚度信息以及所述微振动信号，评估每个所述网格区域产生裂纹的风险，并根据风险评估结果，生成晶圆表面风险热力图； S8.根据所述晶圆表面风险热力图，控制研磨头的运行参数和研磨液的流量。

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