上海烨映微电子科技股份有限公司彭晓占获国家专利权
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龙图腾网获悉上海烨映微电子科技股份有限公司申请的专利红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120907670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511452847.8，技术领域涉及：G01J5/90；该发明授权红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置是由彭晓占;徐德辉设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置在说明书摘要公布了：本发明提供了红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置，其中测试方法包括采集芯片在第一温度点T1下的第一环温ADC值；在激励光源关闭状态下，采集芯片的第一目标ADC‑off值；在激励光源开启状态下，采集芯片的第一目标ADC‑on值；根据第一目标ADC‑off值和第一目标ADC‑on值，进行第一级良品判断；采集芯片在第二温度点T2下的第二环温ADC值；基于第一环温ADC值、第二环温ADC值、第一温度点T1和第二温度点T2，计算环温响应率；根据环温响应率是否处于第一预设范围内，进行第二级良品判断，对芯片进行高效、准确的功能性激励与测试。
本发明授权红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置在权利要求书中公布了：1.红外阵列测温芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 将芯片固定于控温工作台上，并将所述控温工作台稳定至第一温度点T1； 采集所述芯片在所述第一温度点T1下的第一环温ADC值； 在激励光源关闭状态下，采集所述芯片的第一目标ADC-off值； 在激励光源开启状态下，采集所述芯片的第一目标ADC-on值； 根据所述第一目标ADC-off值和所述第一目标ADC-on值，进行第一级良品判断，根据所述第一级良品判断结果，对所述芯片进行标记； 将所述控温工作台稳定至第二温度点T2； 采集所述芯片在所述第二温度点T2下的第二环温ADC值； 基于所述第一环温ADC值、所述第二环温ADC值、所述第一温度点T1和所述第二温度点T2，计算环温响应率； 根据所述环温响应率是否处于第一预设范围内，进行第二级良品判断，根据所述第二级良品判断结果，对所述芯片进行标记。
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