全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利离子注入仿真方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120911137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438453.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权离子注入仿真方法、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入仿真方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开的示例实施例涉及离子注入仿真方法、电子设备及存储介质。该方法包括：确定入射的离子在与半导体材料基体中的原子发生碰撞之前的实时能量；响应于实时能量大于第一能量阈值，使用BCA模型来模拟离子在半导体材料基体中的运动轨迹；以及响应于实时能量小于或等于第一能量阈值，从BCA模型和MD模型中选择相应的模型，以模拟离子的注入过程，其中包括使用MD模型来模拟离子在半导体材料基体中的运动轨迹。本公开的实施例能够实现离子注入全能量范围高能到低能的精确模拟。
本发明授权离子注入仿真方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种离子注入仿真方法，包括： 确定入射的离子在与半导体材料基体中的原子发生碰撞之前的实时能量； 响应于所述实时能量大于第一能量阈值，使用二体碰撞近似BCA模型来模拟所述离子在所述半导体材料基体中的运动轨迹；以及 响应于所述实时能量小于或等于所述第一能量阈值，从所述BCA模型和分子动力学MD模型中选择相应的模型，以模拟所述离子的注入过程，其中包括使用所述MD模型来模拟所述离子在所述半导体材料基体中的运动轨迹。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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