长春智冉光电科技有限公司王富国获国家专利权
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龙图腾网获悉长春智冉光电科技有限公司申请的专利一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120920941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454261.5，技术领域涉及：B23K26/382；该发明授权一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法和装置是由王富国;张奔雷;肖敬淞;杨航设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化硅陶瓷开孔技术领域，具体涉及一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法和装置；一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法，包括：预准备工作；基于三阶段扫描策略对已固定的氮化硅陶瓷基板进行开孔，并以瑞利长度约束有效景深；三阶段扫描策略为：S1.低能量开槽；S2.高能量多次切割；S3.低能量描边修整；在三阶段加工工艺的每个阶段中扫描均是依据预设的二维孔位矢量路径执行环形进给。本发明能够在氮化硅陶瓷基板上实现高质量、可控性强的微孔阵列加工，具有广泛的工程应用价值。
本发明授权一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种针对氮化硅陶瓷的飞秒激光开孔方法，其特征在于，包括： 预准备工作：将待加工的氮化硅陶瓷基板固定于加工平台上，进行定位锁定； 基于三阶段扫描策略对已固定的氮化硅陶瓷基板进行开孔，并以瑞利长度约束有效景深； 其中，三阶段扫描策略为： S1.低能量开槽：采用能够稳定去除氮化硅陶瓷基板浅层的激光，对氮化硅陶瓷基板进行多次扫描，形成浅槽； S2.高能量多次切割：保持和步骤S1的激光波长不变，提高单脉冲能量和重复频率，降低扫描速度，对已开槽的氮化硅陶瓷基板进行多次扫描，完成对待开孔的主体区域的去除； S3.低能量描边修整：在孔已贯穿后，采用激光对孔壁进行描边修整； 步骤S3使用的激光吸收率低于步骤S2的激光，并且对应的能量密度高于氮化硅陶瓷基板上开孔处表面碎屑与飞溅物的去除阈值，低于氮化硅陶瓷基板的烧蚀阈值； 在三阶段加工工艺的每个阶段中扫描均是依据预设的二维孔位矢量路径执行环形进给。
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