中国科学院合肥物质科学研究院宋执权获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120928028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511451186.7，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器是由宋执权;郑小朋;李华;王广红;张杰设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器，包括：环形支撑结构，用于套装在待测圆截面导体周围；TMR传感器，安装于所述环形支撑结构上并围绕所述导体对称分布；电流霍尔传感器位于相邻平面；TMR传感器包括高磁导率磁分路和隧道磁电阻TMR；差分检测电路，用于对位于对称位置的所述TMR传感器输出信号进行差分处理；数据处理单元，与所述TMR传感器和电流霍尔传感器电连接。本发明采用隧道磁电阻与霍尔传感器相邻平面布置，在不影响霍尔传感器采样前提下，利用相邻平面隧道磁电阻的惯性延迟特性捕捉电流瞬态变化，检测微弱的磁场变化，为霍尔传感器固有相位延迟提供相位校正时间基准。
本发明授权基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于隧道磁电阻复合校正的霍尔电流传感器，其特征在于，包括： 环形支撑结构，其用于套装在待测圆截面导体周围； 多个TMR传感器，安装于所述环形支撑结构上并围绕所述导体对称分布； 至少一个电流霍尔传感器位于相邻平面； TMR传感器包括高磁导率磁分路和隧道磁电阻TMR，高磁导率磁分路与隧道磁电阻TMR相邻； 差分检测电路，用于对位于对称位置的所述TMR传感器输出信号进行差分处理，得到差分输出信号； 以及数据处理单元，与差分检测电路电连接，进行信号处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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