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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利蚀刻装置和蚀刻设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638323U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422609033.8，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型蚀刻装置和蚀刻设备是由何正鸿;韩新;张成;田旭设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻装置和蚀刻设备在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供了一种蚀刻装置和蚀刻设备，涉及蚀刻技术领域。该蚀刻装置包括底座、晶圆放置台和阻挡环，底座上设置有承载容纳槽，晶圆放置台容置在承载容纳槽中，并与底座共同形成用于承载晶圆的承载台面，阻挡环设置在底座上，并通过顶杆连接至底座，顶杆与晶圆放置台间隔设置，顶杆用于顶升阻挡环至第一工作位置，以使阻挡环与晶圆放置台之间形成供晶圆装入的间隙，顶杆还用于降低阻挡环至第二工作位置，以使阻挡环压合并遮挡在晶圆的边缘位置。相较于现有技术，本实用新型由于阻挡环的遮挡和保护作用，能够有效防止晶圆边缘的过度蚀刻，进而保证蚀刻效果。

本实用新型蚀刻装置和蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括底座、晶圆放置台和阻挡环，所述底座上设置有承载容纳槽，所述晶圆放置台容置在所述承载容纳槽中，并与所述底座共同形成用于承载晶圆的承载台面，所述阻挡环设置在所述底座上，并通过顶杆连接至所述底座，所述顶杆与所述晶圆放置台间隔设置，所述顶杆用于顶升所述阻挡环至第一工作位置，以使所述阻挡环与所述晶圆放置台之间形成供晶圆装入的间隙，所述顶杆还用于降低所述阻挡环至第二工作位置，以使所述阻挡环压合并遮挡在所述晶圆的边缘位置； 所述阻挡环的底侧表面设置有缓冲层，所述缓冲层为硅胶层，用于抵持在所述晶圆的边缘位置； 所述底座上还设置有与所述承载容纳槽同心设置的让位槽，所述让位槽的尺寸用于与所述晶圆的尺寸相适配，所述承载容纳槽设置在所述让位槽的底壁上，并在边缘形成台阶面，所述台阶面与所述晶圆放置台的上表面共同构成所述承载台面；所述底座上还设置有多个抽气孔，所述抽气孔设置在所述让位槽的周围，并贯通所述底座，所述底座的底侧还设置有真空泵，所述真空泵连通至多个所述抽气孔，通过多个所述抽气孔将晶圆周围蚀刻产生的废气抽走。

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