甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利真空平台及贴装设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223638351U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520241097.9,技术领域涉及:H01L21/683;该实用新型真空平台及贴装设备是由何正鸿;高源;姜博文;张聪;毛伟洋设计研发完成,并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空平台及贴装设备在说明书摘要公布了:本申请公开一种真空平台及贴装设备,涉及半导体设备技术领域。该真空平台包括平台本体和隔板,所述平台本体的底部设置有进气孔、顶部设置有吸附孔,所述隔板横设于所述平台本体内,以通过所述隔板对所述进气孔和所述吸附孔进行分隔,所述隔板上设置有导气孔,经由所述进气孔通入的气体能够在所述导气孔的导流下流向所述吸附孔,以对承载于所述平台本体顶部的芯片进行真空吸附。该真空平台能够解决现有技术中的真空平台的真空孔因吸附力过大容易导致基板表面发生凹陷的问题。
本实用新型真空平台及贴装设备在权利要求书中公布了:1.一种真空平台,其特征在于,包括平台本体和隔板,所述平台本体的底部设置有进气孔、顶部设置有吸附孔,所述隔板横设于所述平台本体内,以通过所述隔板对所述进气孔和所述吸附孔进行分隔,所述隔板上设置有导气孔,经由所述进气孔通入的气体能够在所述导气孔的导流下流向所述吸附孔,以对承载于所述平台本体顶部的芯片进行真空吸附。
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