矽品精密工业股份有限公司吴柏毅获国家专利权
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龙图腾网获悉矽品精密工业股份有限公司申请的专利导电凸块结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638364U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423080439.8，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型导电凸块结构是由吴柏毅;林向阳设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电凸块结构在说明书摘要公布了：一种导电凸块结构，主要在具有焊垫及保护层的半导体基板上形成第一绝缘层，且该第一绝缘层具有第一开口以及第二开口，以令该焊垫外露出该第一开口，且部分该保护层外露出该第二开口；于该第一绝缘层上形成电性连接该焊垫的金属层；于该第一绝缘层及该金属层上形成第二绝缘层，其中，该第二绝缘层具有对应于该第二开口位置的第三开口，以令该第二开口及该第三开口共同形成一凹槽结构；于该凹槽结构中形成电性连接该金属层的导电金属层；以及于该导电金属层上形成金属凸块，避免应力集中于不同材质的交界介面上而导致脱层问题。
本实用新型导电凸块结构在权利要求书中公布了：1.一种导电凸块结构，形成于具有焊垫及保护层的半导体基板上，其特征在于，包括： 第一绝缘层，形成于该保护层上并具有第一开口以及第二开口，其中，该第一开口对应该焊垫位置，以令该焊垫外露出该第一开口，且该第二开口对应该保护层位置，以令部分该保护层外露出该第二开口； 金属层，形成于该第一绝缘层上且电性连接该焊垫； 第二绝缘层，形成于该第一绝缘层及该金属层上，且该第二绝缘层形成有对应于该第二开口位置的第三开口，以令该第二开口及该第三开口共同形成一凹槽结构； 导电金属层，形成于该凹槽结构中并电性连接该金属层；以及 金属凸块，形成于该导电金属层上。
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