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龙图腾网获悉国芯微电子(广东)有限公司申请的专利一种电路组件及功率模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638368U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202522213915.7，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种电路组件及功率模块封装结构是由王铁柱;成年斌;陈嘉耀;周少杰;黄统华设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电路组件及功率模块封装结构在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件技术领域，公开一种电路组件及功率模块封装结构，各第一芯片和各第二芯片在横向和纵向上相互错位形成阶梯状排布，且任意相邻的两个芯片在横向和纵向上的错位距离相同，这种独特的排布方式使得各芯片的栅极和开尔文极到对应引脚的路径长度能够通过纵向和横向延伸的连接件实现精确的等长连接；通过这种设计，显著缩小了各并联SiCMOSFET芯片之间的寄生电感差异，从而避免了在高速开关过程中因电感不均导致的导通先后不一致和电流分配失衡；此外，该技术方案有效抑制了芯片关断阶段的电流振荡与电压过冲，降低了EMI风险，并减缓了器件老化过程。

本实用新型一种电路组件及功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种电路组件，包括DBC基板1和多个设置在所述DBC基板1上的SiCMOSFET芯片，这些SiCMOSFET芯片通过键合线2以及设置在所述DBC基板1表面的铜电极与设置在所述DBC基板1上的引脚连接形成并联的半桥电路；其特征在于，多个所述SiCMOSFET芯片包括多个并联连接的第一芯片3和多个并联连接的第二芯片4； 各所述第一芯片3的漏极与同一个设置有第一漏极引脚5的第一漏极铜电极6贴合，且各所述第一芯片3在横向和纵向上相互错位形成阶梯状排布结构；任意相邻的两个所述第一芯片3在横向和纵向上的错位距离相同，各所述第一芯片3的栅极依次通过纵向延伸的连接件和横向延伸的连接件与同一个第一栅极引脚7连接，以使各所述第一芯片3的栅极到所述第一栅极引脚7的路径长度相等，各所述第一芯片3的开尔文极依次通过纵向延伸的连接件和横向延伸的连接件与同一个第一开尔文引脚8连接，以使各所述第一芯片3的开尔文极到所述第一开尔文引脚8的路径长度相等； 各所述第二芯片4的漏极与同一个设置有第二漏极引脚9的第二漏极铜电极10贴合，且各所述第二芯片4在横向和纵向上相互错位形成阶梯状排布结构；任意相邻的两个所述第二芯片4在横向和纵向上的错位距离相同，各所述第二芯片4的栅极依次通过纵向延伸的连接件和横向延伸的连接件与同一个第二栅极引脚11连接，以使各所述第二芯片4的栅极到所述第二栅极引脚11的路径长度相等，各所述第二芯片4的开尔文极依次通过纵向延伸的连接件和横向延伸的连接件与同一个第二开尔文引脚12连接，以使各所述第二芯片4的开尔文极到所述第二开尔文引脚12的路径长度相等； 所述纵向和所述横向是所述DBC基板1上表面的两个相互垂直的方向。

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