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深圳市嘉敏利光电有限公司李承远获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市嘉敏利光电有限公司申请的专利一种VCSEL芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223638787U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423111630.4,技术领域涉及:H01S5/183;该实用新型一种VCSEL芯片是由李承远;李虎;张立永;李佳勋设计研发完成,并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种VCSEL芯片在说明书摘要公布了:本申请提供一种VCSEL芯片,涉及半导体技术领域,包括由下向上层叠设置的基底、N型分布式布拉格反射器、多量子阱层、P型分布式布拉格反射器、接触层、薄膜氧化层和金属接触层,金属接触层包括P金属接触区,P金属接触区为环形区,电流经环形区的四周注入环形区中心的出光孔;金属接触层还包括N金属接触区,N金属接触区将P金属接触区围合在内。通过环形的P金属接触区,使电流从环形P金属接触区的四周方向注入,相较于现有技术单一方向的电流注入,改善了电流路径,达到更稳定的电流注入特性,改善单一方向注入电流所导致的热堆积,减小电极与金属接触层区域的寄生电容,缩小蚀刻平台,减少氧化面积,增加器件可靠度,提升器件特性。

本实用新型一种VCSEL芯片在权利要求书中公布了:1.一种VCSEL芯片,其特征在于,包括:由下向上层叠设置的基底、N型分布式布拉格反射器、多量子阱层、P型分布式布拉格反射器、接触层、薄膜氧化层和金属接触层,所述金属接触层包括P金属接触区,所述P金属接触区为环形区,电流经所述环形区的四周注入所述环形区中心的出光孔;所述金属接触层还包括N金属接触区,所述N金属接触区将所述P金属接触区围合在内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市嘉敏利光电有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区红柳道2号顺丰工业厂房1层B125房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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