杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种新型多电流通路NPN结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639608U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422766150.5，技术领域涉及：H10D10/60；该实用新型一种新型多电流通路NPN结构是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型多电流通路NPN结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型多电流通路NPN结构，属于半导体器件技术领域，该新型多电流通路NPN结构，包括第二导电类型衬底；第一齐纳注入阱区，被布置在所述第二导电类型衬底中，所述第一齐纳注入阱区中设置有第二导电类型阳极区；第二齐纳注入阱区，被布置在所述第一齐纳注入阱区的一侧，且与所述第一齐纳注入阱区之间具有间隔，所述第二齐纳注入阱区中有从左至右依次排布第二导电类型阴极区、第一导电类型阴极区。通过引入第一齐纳注入阱区和第二齐纳注入阱区，将器件的反向击穿电流路径分为器件表面和器件体内两个部分，在不增加器件面积的基础上改进了器件的触发电压与失效电流特性。
本实用新型一种新型多电流通路NPN结构在权利要求书中公布了：1.一种新型多电流通路NPN结构，其特征在于，包括： 第二导电类型衬底； 第一齐纳注入阱区，被布置在所述第二导电类型衬底中，所述第一齐纳注入阱区中设置有第二导电类型阳极区； 第二齐纳注入阱区，被布置在所述第一齐纳注入阱区的一侧，且与所述第一齐纳注入阱区之间具有间隔，所述第二齐纳注入阱区中有从左至右依次排布第二导电类型阴极区、第一导电类型阴极区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杰平方半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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