珠海镓未来科技有限公司高吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种具有场板的半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639609U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422772771.4，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种具有场板的半导体器件是由高吴昊;曾凡明;吴毅锋;郭超凡设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有场板的半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有场板的半导体器件，其包括衬底、外延层、第一介质层、第二介质层、第一金属层、第三介质层以及第二金属层，第二介质层上设置有贯穿第一介质层和第二介质层的源极金属孔、漏极金属孔；以在源极金属孔上形成源极、在漏极金属孔上形成漏极、以及在第二介质层上形成第一层场板；第三介质层上设置有贯穿第三介质层和第二介质层的栅极金属孔，以在栅极金属孔上形成栅极。
本实用新型一种具有场板的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有场板的半导体器件，其特征在于，包括， 衬底； 外延层，设置在所述衬底上； 第一介质层和第二介质层，设置在所述外延层上，所述第二介质层上设置有贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的源极金属孔、漏极金属孔； 第一金属层，设置在所述第二介质层上，以在所述源极金属孔上形成源极、在所述漏极金属孔上形成漏极、以及在所述第二介质层上形成第一层场板； 第三介质层，设置在所述第一金属层上，所述第三介质层上设置有贯穿所述第三介质层和所述第二介质层的栅极金属孔；以及 第二金属层，设置在所述第三介质层上，以在所述栅极金属孔上形成栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海镓未来科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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