成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司刘勇获国家专利权
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龙图腾网获悉成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司申请的专利一种增强型氮化镓功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639610U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423162505.6，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种增强型氮化镓功率器件是由刘勇;罗鹏;刘家才设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型氮化镓功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种增强型氮化镓功率器件，包括氮化镓半导体衬底，顶面设有沿第一方向延伸的PGaN栅；源极设置于氮化镓半导体衬底的顶面，并位于PGaN栅的一侧；漏极设置于氮化镓半导体衬底的顶面，并位于PGaN栅的另一侧，源极、PGaN栅和漏极沿第二方向排列，第二方向垂直于第一方向；栅极，设置于PGaN栅的顶面，栅极靠近漏极的一边超出PGaN栅；第一场板，设置于氮化镓半导体衬底的上方，并位于PGaN栅靠近漏极一侧的旁侧，第一场板与栅极超出PGaN栅的区域向第三方向的投影具有多个间隔设置的重合区，并且第一场板与源极在非有源区连接，第三方向垂直于第一方向和第二方向。本申请可以提高器件的耐压性和开关速度。
本实用新型一种增强型氮化镓功率器件在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓功率器件，其特征在于，包括： 氮化镓半导体衬底，顶面设有沿第一方向延伸的PGaN栅； 源极，设置于所述氮化镓半导体衬底的顶面，并位于所述PGaN栅的一侧； 漏极，设置于所述氮化镓半导体衬底的顶面，并位于所述PGaN栅的另一侧，所述源极、所述PGaN栅和所述漏极沿第二方向排列，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向； 栅极，设置于所述PGaN栅的顶面，所述栅极靠近所述漏极的一边超出所述PGaN栅； 第一场板，设置于所述氮化镓半导体衬底的上方，并位于所述PGaN栅靠近所述漏极一侧的旁侧，所述第一场板与所述栅极超出所述PGaN栅的区域向第三方向的投影具有多个间隔设置的重合区，并且所述第一场板与所述源极在非有源区连接，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
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