无锡美偌科微电子有限公司王荣华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡美偌科微电子有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639611U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423075489.7，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型一种半导体器件是由王荣华;章文红设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括至少一元胞。元胞沿第一方向划分为两个元胞区。每个元胞区包括漂移区、源极掺杂区、接触孔及源极金属。源极掺杂区包括阱区、源区及多个在第二方向上排列的接触区。源区包括至少一伸入相邻两个接触区中的嵌入区。接触孔显露源极掺杂区的至少一部分以使源极金属填充进接触孔内与源极掺杂区连接。元胞中，配置接触孔显露源极掺杂区的状态为：至少一个所述元胞区的接触孔显露嵌入区的局部。该半导体器件通过延长电流流经源区的路径以增加导通电阻，实现短路电流能力的改善。通过对该半导体器件的部分元胞的栅极结构进行调整，进一步平衡了器件的短路电流能力与导通电流能力。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括多个元胞，所述元胞沿第一方向划分为两个元胞区，每个所述元胞区均包括： 漂移区； 源极掺杂区，位于所述漂移区中，所述源极掺杂区包括阱区、源区及多个接触区，其中，所述源区及所述接触区均位于所述阱区中，多个所述接触区在第二方向排列，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述源区至少包括一个嵌入区，所述嵌入区自所述第一方向伸入相邻两个所述接触区之间，以间隔任意相邻的两个所述接触区； 接触孔，位于所述漂移区上方，所述接触孔显露所述源极掺杂区的至少一部分； 源极金属，位于所述漂移区上方，所述源极金属还填充进所述接触孔内以与所述源极掺杂区连接； 所述元胞中，配置所述接触孔显露所述源极掺杂区的状态为：至少一个所述元胞区的所述接触孔显露所述嵌入区的局部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡美偌科微电子有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国物联网国际创新园A-406、A-407；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励