扬州杰冠微电子有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利高短路保护设计器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639612U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423172894.0，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型高短路保护设计器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本高短路保护设计器件在说明书摘要公布了：高短路保护设计器件，涉及半导体技术领域。包括：Sub层；Drift层，顶角设有一对呈直角梯形结构的刻蚀部，将所述Drift层顶部两侧呈一斜面；P‑body区，设有一对，从所述Drift层的顶部外侧面向内延伸；NP区，从所述P‑body区的顶面向下延伸；PP区，从所述P‑body区的侧面向内延伸；所述PP区与NP区相连；栅氧化层，设置在所述Drift层、P‑body区和NP区的顶面；Poly层，设置在所述栅氧化层的顶面；器件工作在饱和区时，更深的P型结与Drift层产生的耗尽层也会阻碍电流，从而提高器件的短路耐受能力。
本实用新型高短路保护设计器件在权利要求书中公布了：1.高短路保护设计器件，其特征在于，包括： Sub层1； Drift层2，顶角设有一对呈直角梯形结构的刻蚀部，将所述Drift层2顶部两侧呈一斜面； P-body区3，设有一对，从所述Drift层2的顶部外侧面向内延伸； NP区4，从所述P-body区3的顶面向下延伸； PP区5，从所述P-body区3的侧面向内延伸；所述PP区5与NP区4相连； 栅氧化层6，设置在所述Drift层2、P-body区3和NP区4的顶面； Poly层7，设置在所述栅氧化层6的顶面； 隔离介质层8，设置在所述Poly层7的顶面，侧部向下延伸与所述NP区4连接； 欧姆接触合金层9，设置在所述PP区5的外侧面，顶部与所述隔离介质层8连接； 正面电极金属层10，设置在器件的顶部。
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