湖南三安半导体有限责任公司柴亚玲获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639613U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422930979.4，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型半导体器件是由柴亚玲;李若凡;杜伟华;曾为;顾子琨设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供的半导体器件中，包括衬底、半导体外延层以及若干半导体元胞单元；半导体外延层设置于衬底的一表面；若干半导体元胞单元设置于半导体外延层中；其中，半导体外延层还具有位于相邻两个半导体元胞单元之间的第一沟槽，第一沟槽从半导体外延层背离衬底的表面沿着第一方向延伸；第一沟槽的槽壁上形成有掩蔽层，且掩蔽层具有第二沟槽，第二沟槽内还填充有填充物。具体的，本申请提供的半导体器件，通过设计掩蔽层具有第二沟槽，以此，针对不同应用场景，可以不改变用于容置掩蔽层的第一沟槽的设计尺寸，而仅改变第二沟槽的尺寸，从而保证掩蔽层的离子掺杂总量满足要求，以此实现在同一个工艺平台上制造掩蔽层的效果，提高产品的兼容性。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 半导体外延层，设置于所述衬底的一表面； 若干半导体元胞单元，设置于所述半导体外延层中，且从所述半导体外延层背离所述衬底的表面沿着第一方向延伸；所述第一方向为所述半导体外延层的第一表面朝向所述衬底的方向； 其中，所述半导体外延层还具有位于相邻两个所述半导体元胞单元之间的第一沟槽，所述第一沟槽从所述半导体外延层背离所述衬底的表面沿着第一方向延伸；所述第一沟槽的槽壁上形成有掩蔽层，且所述掩蔽层具有第二沟槽，所述第二沟槽内还填充有填充物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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