扬州杰冠微电子有限公司朱秀梅获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639614U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423172882.8，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件是由朱秀梅;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：一种减少栅漏电容的SiCMOSFET器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的N+衬底层、N‑外延层、P‑body区、欧姆接触合金层和正面电极金属层；所述P‑body区的顶面设有向下延伸的倒梯形结构的栅极沟槽区；所述栅极沟槽区内设有厚度从上而下依次递增的栅氧化层；所述栅氧化层内设有倒梯形结构的Poly层；本实用新型采用倒梯形结构的栅极沟槽，减少了栅极和漏极的重叠区域，从而达到减少栅漏电容的目的，减少米勒平台时间，改善器件的开关损耗。另外本实用新型在栅沟槽槽底设计的较厚的栅氧层，其厚度值为厚度为60‑70nm，进一步减少栅漏电容的目的，同时沉积的厚栅氧层7，可以缓解栅氧被电压尖峰击穿的风险。
本实用新型一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种减少栅漏电容的SiCMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的N+衬底层1、N-外延层2、P-body区3、欧姆接触合金层10和正面电极金属层11； 所述P-body区3的顶面设有向下延伸的倒梯形结构的栅极沟槽区4；所述栅极沟槽区4内设有厚度从上而下依次递增的栅氧化层7；所述栅氧化层7内设有倒梯形结构的Poly层8； 所述P-body区3的顶面设有向下延伸并与栅氧化层7连接的N+区5； 所述P-body区3的顶面设有向下延伸的P+区6； 所述N+区5、栅氧化层7和Poly层8的顶面设有隔离介质层9，所述隔离介质层9与欧姆接触合金层10连接。
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