晶艺半导体有限公司罗君轶获国家专利权
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龙图腾网获悉晶艺半导体有限公司申请的专利RC-IGBT半导体器件及其版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639617U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423206389.3，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型RC-IGBT半导体器件及其版图结构是由罗君轶设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本RC-IGBT半导体器件及其版图结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种RC‑IGBT半导体器件及其版图结构，涉及半导体技术领域，版图结构包括：终端区；有源区，用于形成IGBT器件；集成二极管的第一接触区，设置于有源区与终端区之间的交界区；发射极焊盘，发射极焊盘的一侧呈凹槽型，发射极焊盘位于有源区的顶部；栅极焊盘，栅极焊盘设置于凹槽型内，并与发射极焊盘隔离开，栅极焊盘设置于IGBT器件的栅区的顶部。本申请将集成二极管的第一接触区设置于有源区与终端区之间的交界区，能够抑制RC‑IGBT的导通压降急剧增加，抑制RC‑IGBT击穿曲线的折回现象，提高器件的短路耐量，增加短路时间，扩大短路安全工作区。
本实用新型RC-IGBT半导体器件及其版图结构在权利要求书中公布了：1.一种RC-IGBT半导体器件的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括： 终端区； 有源区，用于形成IGBT器件； 集成二极管的第一接触区，设置于所述有源区与所述终端区之间的交界区； 发射极焊盘，所述发射极焊盘位于有源区的顶部，所述发射极焊盘的一侧呈凹槽型； 栅极焊盘，所述栅极焊盘位于IGBT器件的栅区的顶部，所述栅极焊盘设置于所述凹槽型内，并与所述发射极焊盘隔离开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶艺半导体有限公司，其通讯地址为：610094 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号1栋2单元14层1403；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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