广东工业大学楚春双获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种日盲紫外探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639622U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423217220.8，技术领域涉及：H10F30/222；该实用新型一种日盲紫外探测器是由楚春双;张紫辉;田康凯;黄福平;王龙宇设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种日盲紫外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种日盲紫外探测器，属于半导体光电探测器技术领域。日盲紫外探测器，包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN插入层、GaN传输层、第一绝缘层、Ga2O3吸收层、金属层、阴极电极和阳极电极；衬底、GaN缓冲层、AlGaN插入层、GaN传输层由下至上依次排布；GaN传输层的上表面开设有凹槽，第一绝缘层沉积在所述凹槽内；GaN传输层的上表面设置Ga2O3吸收层和阳极电极；吸收层的上表面设置金属层和阴极电极，阴极电极与Ga2O3吸收层的上表面直接接触；Ga2O3吸收层覆盖所述第一绝缘层。本发明解决了氧化镓作为吸收层导致光生空穴在其中积累从而降低光电流的问题。
本实用新型一种日盲紫外探测器在权利要求书中公布了：1.一种日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底101、GaN缓冲层102、AlGaN插入层103、GaN传输层104、第一绝缘层105、Ga2O3吸收层106、金属层107、阴极电极108和阳极电极109； 所述衬底101、所述GaN缓冲层102、所述AlGaN插入层103、所述GaN传输层104由下至上依次排布； 所述GaN传输层104的上表面开设有凹槽，所述第一绝缘层105沉积在所述凹槽内； 所述GaN传输层104的上表面设置所述Ga2O3吸收层106和所述阳极电极109； 所述Ga2O3吸收层106覆盖所述第一绝缘层105； 所述Ga2O3吸收层106的上表面设置所述金属层107和所述阴极电极108，所述阴极电极108与所述Ga2O3吸收层106的上表面直接接触。
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