晶澳(扬州)太阳能科技有限公司张俊兵获国家专利权
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龙图腾网获悉晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639628U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422851777.0，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种背接触太阳能电池是由张俊兵;陈斌;李娅设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种背接触太阳能电池。该电池包括：硅基体；设置于硅基体第一主表面上交替排列的第一掺杂区域和第二掺杂区域、位于第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的隔离区、设置于第一掺杂区域的第一导电薄膜、设置于第二掺杂区域的第二导电薄膜以及设置于隔离区的第三导电薄膜；其中，第一掺杂区域和第二掺杂区域具有高度差，且第一掺杂区域和第二掺杂区域的掺杂类型相反；隔离区包括相对于第一掺杂区域和第二掺杂区域倾斜设置的斜面结构；第三导电薄膜为间断结构，且斜面结构的第三导电薄膜的厚度小于第一导电薄膜和第二导电薄膜。该实施方式可以省去激光开设隔离槽的流程，简化背接触太阳能电池的制备工艺，提高电池的光电转换效率。
本实用新型一种背接触太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基体10； 设置于所述硅基体10第一主表面上交替排列的第一掺杂区域和第二掺杂区域、位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的隔离区、设置于所述第一掺杂区域的第一导电薄膜21、设置于所述第二掺杂区域的第二导电薄膜31以及设置于所述隔离区的第三导电薄膜41；其中， 所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域具有高度差，且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的掺杂类型相反； 所述隔离区包括相对于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域倾斜设置的斜面结构； 所述第三导电薄膜41为间断结构，且所述斜面结构的第三导电薄膜41的厚度小于所述第一导电薄膜21和所述第二导电薄膜31。
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