天工方案公司小松禎也获国家专利权
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龙图腾网获悉天工方案公司申请的专利铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110601677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910508927.9，技术领域涉及：H03H9/25；该发明授权铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制是由小松禎也设计研发完成，并于2019-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地，涉及一种电子器件，包括第一表面声波SAW谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器IDT电极，第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，第一SAW谐振器具有IDT电极，该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；介电材料层，设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上；高速层，设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内，第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。
本发明授权铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括： 第一表面声波SAW谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器IDT电极，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，所述第一SAW谐振器具有IDT电极，所述IDT电极具有与所述第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距； 介电膜，设置在所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器的IDT电极上；以及高速层，设置在被配置于所述第一SAW谐振器的所述IDT电极上的所述介电膜内和被配置于所述第二SAW谐振器的所述IDT电极上的所述介电膜内，覆盖所述第一SAW谐振器的所述IDT电极的所述介电膜内的所述高速层的归一化厚度不同于覆盖所述第二SAW谐振器的IDT电极的所述介电膜内的所述高速层的归一化厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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